EPO-TEK 353ND 1 lb Kit Resina Epóxica Alta Temperatura para Semiconductores Fibra Óptica Electrónica Usos Múltiples Dos Partes A+B Sello UHV Unión de Wafers Dispositivos MEM Tecnología Epóxica

Marca: SANYI
Usos específicos del producto: Semiconductores, Fibra Óptica, Electrónica, Unión de obleas, Dispositivos MEMs, Relleno de chip invertido, Sellos UHV, Empaque de componentes de fibra, Ensamblaje electrónico, Capa dieléctrica, CSP, Sensores de fibra óptica, Adhesivo para fibra óptica, Laminado de materiales ferroelectrónicos, Impregnación de bobinas de cobre, Unión de núcleos de ferritaVer más
Material: Resina epoxi
Forma del producto: Líquido
Función especial: Resistente al calor
Color: Claro y Ámbar
Nivel de viscosidad: Media a alta
Tiempo de curado completo: 1 Horas
Número de unidades: 450.0 Gramos
Número de piezas: 2

- EPO-TEK 353ND. Kit de 1 lb. 2 Partes: A 0.91 lb + B 0.09 lb. Resina Epóxica de Alta Temperatura. Aplicaciones múltiples para Semiconductores, Fibra Óptica, Electrónica, etc.
- Curado recomendado: 150°C / 1 hora. Relación de mezcla por peso: 10 : 1. Agitar el contenido antes de su uso. Vida útil: ≤ 3 horas (Jeringa: ≤ 2 horas). Gravedad específica: Parte A: 1.20 Parte B: 1.02 Vida útil: Un año a temperatura ambiente. Color (antes del curado): Parte A: Claro Parte B: Ámbar Viscosidad (23°C) @ 50 rpm: 3,000 - 5,000 cPs.
- Semiconductor. Unión de obleas de oblea a oblea. Dispositivos MEMs. Relleno de chip invertido (flip chip). Aplicaciones híbridas. Sellos UHV. Empaque de componentes de fibra. Ensamblaje electrónico. Capa dieléctrica. CSP (Chip-on-Substrate). Dispositivo MEM.
- Alta estabilidad térmica. Bajas emisiones de gas. Aislamiento eléctrico. Aplicación versátil.
- Índice tixotrópico: N/A. Temperatura de transición vítrea: ≥ 90 °C. Coeficiente de expansión térmica (CTE): Por debajo de Tg: 54 x 10⁻⁶ in/in°C. Por encima de Tg: 206 x 10⁻⁶ in/in°C. Dureza Shore D: 85. Corte en lap a 23°C: > 2,000 psi. Corte de dado a 23°C: ≥ 15 Kg, 5,334 psi. Temperatura de degradación: 412 °C. Módulo de almacenamiento: 508,298 psi. Contenido iónico: Cl⁻: 329 ppm NH₄⁺: 409 ppm K⁺: 5 ppm Resistividad volumétrica a 23°C: ≥ 1.8 x 10¹³ Ohm-cm. Constante dieléctrica (1KHz): 3.17. Factor de disipación (1KHz): 0.005.
- Índice tixotrópico: N/A. Temperatura de transición vítrea: ≥ 90 °C. Coeficiente de expansión térmica (CTE): Por debajo de Tg: 54 x 10⁻⁶ in/in°C. Por encima de Tg: 206 x 10⁻⁶ in/in°C. Dureza Shore D: 85. Corte en lap a 23°C: > 2,000 psi. Corte de dado a 23°C: ≥ 15 Kg, 5,334 psi. Temperatura de degradación: 412 °C. Módulo de almacenamiento: 508,298 psi. Contenido iónico: Cl⁻: 329 ppm NH₄⁺: 409 ppm K⁺: 5 ppm Resistividad volumétrica a 23°C: ≥ 1.8 x 10¹³ Ohm-cm. Constante dieléctrica (1KHz): 3.17. Factor de disipación (1KHz): 0.005.